固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，涵盖白色家电、（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。该技术与标准CMOS处理兼容，

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。负载是否具有电阻性，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，从而实现高功率和高压SSR。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、航空航天和医疗系统。